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  灯泡大怪兽 2015-11-28 08:38

  绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
  目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
  IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
  从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
  IGBT的特点:
  1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
  2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
  3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
  4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
  5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
  IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。

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  森深不见鹿 2015-11-28 08:35

  你好，igbt主要是由以下几点原因引起的，
  1:谐振电容和高压滤波电容失效、容量变小、虚焊或漏电，导致电磁炉LC振荡频率偏高，从而使其损坏
  2：电压供电异常
  3：原件氧化或者虚焊
  4：散热系统异常
  以上回答希望对你有所帮助

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  wangsanbao123 2015-11-28 08:33

  IGBT就是门控三极管（三只脚，固定在铝散热片上）；IGBT温度传感器固定在门控管表面，两只脚，外形像二极管IN4148，监测门控管温度，经传导至运算处理器，过热时，停机保护。

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