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  xiaoping123 2015-11-14 20:35

  发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。

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  天上的木兰星 2015-11-14 21:44

  防爆手电筒用于消防、电力、工矿企业及其他易燃易爆场所提供移动照明。地质勘探、旅游探险、边防巡逻、海防巡逻、救援抗灾、野外作业、坑道作业、森林防火、机场巡查、铁路巡查、考古及消防指挥、刑事侦察、交通事故处理、电力抢修等照明的使用需要。
  
  LED原理及特性
  发光原理
  
  发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
  假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
  理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即
  λ≈1240/Eg（mm）
  式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。使用不普遍。
  特性
  
  （1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
  （2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
  （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
  （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
  （5）打开电源时，不会产生火花，从而在危险空间不会因火花而发生爆炸的可能，达到防爆的效果，所以叫防爆手电。

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  请叫我雷锋 2015-11-14 21:41

  工作原理：
  　　接通电源后，VT1因R1接负极，而c1两端电压不能突变。VT1（b）极电位低于e极，VT1导通，VT2（b）极有电流流入，VT2也导通，电流从电源正极经L、VT2（c）极到e极，流回电源负极，电源对L充电，L储存能量，L上的自感电动势为左正右负。经c1的反馈作用，VT1基极电位比发射极电位更低，VT1进入深度饱和状态，同时VT2也进入深度饱和状态，即Ib>Ic/β（β为放大倍数）。随着电源对c1的充电，C1两端电压逐渐升高，即VTI（b）极电位逐渐上升，Ib1逐渐减小，当Ib1<=Ic1/β时，VT1退出饱和区，VT2也退出饱和区，对L的充电电流减小。此时。L上的自感电动势变为左负右正，经c1反馈作用。VT1基极电位进一步上升，VT1迅速截止，VT2也截止，L上储存的能量释放，发光管上的电源电压加到L上产生了自感电动势，达到升压的目的。此电压足以使LED发光。

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  [昵称被屏蔽] 2015-11-14 19:50

  防爆手电筒的发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结

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