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  家和往事兴 2015-11-17 23:20

  答，三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
  以上信息来源于网络，仅供参考

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  AN拉勾勾 2015-11-17 09:38

  三极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为三极管的击穿现象

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  kitty1235 2015-11-16 19:52

  三极管的工作原理（电流放大作用）
  三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。放大电路的组成原理（应具备的条件）
  （1）：放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置）
  （2）：输入信号能输送至放大器件的输入端（三极管的发射结）
  （3）：有信号电压输出。
  判断放大电路是否具有放大作用，就是根据这几点，它们必须同时具备。

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  [昵称被屏蔽] 2015-11-16 17:31

  三极管的工作原理是，PNP型的，在集电极上加上负极的电压，在发射极上加上正极电压，在基极上，加上负极的偏置电阻，和在正极上接的偏置点稳定电压的电阻，三极管就可以导通了，导通量取决于基极对负极的偏置电阻的阻值大小，和基极的工作点的电压。
  三极管PNP结上，是由锗的两个导电材料，中间夹接了N的硅的导电材料组成的，NPN型的是由两个硅材料的结，中间夹接着一个锗的或是别的复合材料组成的，它的放大倍数是取决于，制作三极管的时候在发射极和集电极中间的材料掺进了渣质浓度的大小，制作出不同放大系数的三极管，发射极和集电极之间的材料越干净放大倍数越高，残渣的浓度越多放大倍数越小！

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  没有昵称_0108 2015-11-16 15:58

  三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

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